點擊：345 發布于：2022-10-20
特性
1、開關速度快
2、功耗低
3、動態范圍大
4、輸入阻抗高
5、熱穩定性好
6、耐輻射性能好
7、抗干擾能力強
8、可制成大面積集成
9、成本低
10、體積小、重量輕
11、可靠性高
12、壽命長
13、易于大規模生產
14、應用領域廣泛 應用 在數字集成電路中用作開關元件；在模擬電路中用作放大器和振蕩器。
場效應管的主要參數有：
工作電壓、電流放大倍數、最大允許耗散功率等。 工作原理 單個mos管的結構如圖1所示。當加正向電壓時，空穴由耗盡層注入到源漏端形成n+區；反之加反向電壓時則相反形成n-區。當外加正偏電壓uab時，源漏端的電場強度增加使電子向源側移動而離開漏端進入集電區成為自由電子并產生一個由該點開始按正弦規律變化的電場e=ebvgdibgh稱為反相飽和電流idr 。由于這個電流是由反向飽和電流idr產生的所以稱之為反相飽和電流idtr ，簡稱逆流子順流遷移率（cefr），單位是cm2/v. 當外加負向電壓vi 時則發生相反的現象即電子由集電級流向?
mos管是什么，有什么作用的相關圖
級從而形成一個正的反饋磁場fe=fesbvc稱為同相飽和電流isr 。此時若再施加正向電壓vdd 則將出現一個與前述反向飽和現象相反的逆向流動情況即從集電級流入到發射級的電子經負載電阻作用變為順向流動狀態這時便產生了自激振蕩現象其頻率隨激勵信號的變化而改變這種自激振蕩被稱為"雪崩"（avalanche）現象這是mos 管特有的基本物理現象之一也是其具有高頻響應和較高開關速度的主要原因之一 圖2給出了兩個典型的金屬氧化物半導體器件的結構框圖及其等效符號見圖3。其中a表示溝道增強型的mos 管 b 表示耗盡型的mos 管 a 的結構 作者：番茄醬爆西紅柿
